意法半导体新MDmesh MOSFET提升效能 大幅降低开关功率损耗

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服务横跨多重电子应用领域的全球半导体领导商意法半导体新推出之新超接面STPOWER MDmesh K6系列强化了几个关键参数,以降低系统的功率损失。特别适合返驰式拓扑为基础的照明应用,例如LED驱动器、HID灯,或是适用于电源适配器和平板显示器的电源。

意法半导体800V STPOWER MDmesh K6系列为这种超接面技术树立了兼具高性能和易用性的标准。MDmesh K6的导通阻抗x晶片面积参数优于市面上现有800V产品,能够实现结合高功率密度并领先市场效能的紧密全新设计。

此外,K6系列的闸极阈值电压相较上一代MDmesh K5更低,可使用更低的驱动电压,进而降低功耗并提升效能,主要用于待机零功耗的应用。总闸极电荷极低,以实现高开关速度和低损耗。

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晶片上结合一个ESD保护二极体,将MOSFET的整体耐用性提升到人体放电模型2级。

义大利固态照明创新企业TCI的技术长暨研发经理Luca Colombo表示,我们已经测试评估了新的超接面高压MDmesh K6系列的样品,并注意到其出色的导通阻抗 x 晶片面积和总闸极电荷效能。

意法半导体将于2022年前推出MDmesh K6的完整产品组合,将产品导通电阻的范围从0.22Ω扩大至4.5Ω,并增加一系列封装选择,包括SMD和通孔包装。

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